Nexperia BSH103 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 850 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
484-5560
Herst. Teile-Nr.:
BSH103,215
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

850mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

BSH103

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

400mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

-8V, +8V

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.1nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.4mm

Länge

3mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V


MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors


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