Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3 A 4.5 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 153-0784
- Herst. Teile-Nr.:
- PMV100ENEAR
- Marke:
- Nexperia
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- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 118mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 4.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 118mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 4.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.6nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.4 mm | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
N-Kanal-Trench-MOSFET für 30 V, N-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie.
Logikstufenkompatibel
Sehr schnelle Schaltung
Trench MOSFET-Technologie
Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): > 2 kV HBM
AEC-Q101-qualifiziert
Relaistreiber
Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
Low-Side-Lastschalter
Schalten von Stromkreisen