Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 3.1 A 8.36 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
151-3050
Herst. Teile-Nr.:
PMV55ENEAR
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

120mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12.7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

8.36W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.4 mm

Länge

3mm

Automobilstandard

AEC-Q101

MOSFETs für den Automobilbereich, das weltweit größte Portfolio an AEC-Q101-qualifizierten Leistungs-MOSFETs – ein tiefes Verständnis der Anforderungen an das Automobilsystem und fokussierte technische Fähigkeiten ermöglichen es Nexperia, Leistungshalbleiterlösungen für ein breites Spektrum von Anwendungen anzubieten. Von der Ansteuerung einer einfachen Lampe bis hin zu den anspruchsvollen Anforderungen an die Leistungsregelung in Motor-, Karosserie- oder Fahrwerksanwendungen – Nexperia Leistungshalbleiter können die Antwort auf viele Probleme mit der Leistung von Automobilsystemen sein.

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