- RS Best.-Nr.:
- 708-2614
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMN2A01E6TA
- Marke:
- DiodesZetex
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 3.1 A |
Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
Gehäusegröße | SOT-23 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 6 |
Drain-Source-Widerstand max. | 225 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung min. | 0.7V |
Verlustleistung max. | 1.7 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | Si |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Länge | 3mm |
Breite | 1.75mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 3 nC @ 4,5 V |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
Höhe | 1.3mm |
- RS Best.-Nr.:
- 708-2614
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMN2A01E6TA
- Marke:
- DiodesZetex
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