DiodesZetex ZXMN2A01E6TA N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3,1 A 1,7 W, 6-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 169-0591
Herst. Teile-Nr.:: ZXMN2A01E6TA
Marke:: DiodesZetex

DiodesZetex ZXMN2A01E6TA N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3,1 A 1,7 W, 6-Pin SOT-23

Voraussichtlich ab 24.04.2025 verfügbar.

Geschätzter Gesamtpreis (3000 Stück)

795,00 €

(ohne MwSt.)

945,00 €

(inkl. MwSt.)

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
3000 +	0,265 €	795,00 €
*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 169-0591
Herst. Teile-Nr.:: ZXMN2A01E6TA
Marke:: DiodesZetex

MOSFET N-ch 3.1A 20V SOT23-6
ESD Control Selection Guide V1

RS Best.-Nr.:: 169-0591
Herst. Teile-Nr.:: ZXMN2A01E6TA
Marke:: DiodesZetex

MOSFET N-ch 3.1A 20V SOT23-6
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	3,1 A
Drain-Source-Spannung max.	20 V
Gehäusegröße	SOT-23
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	6
Drain-Source-Widerstand max.	225 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	0.7V
Verlustleistung max.	1,7 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-12 V, +12 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	1.75mm
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	3 nC @ 4,5 V
Länge	3mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	1.3mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	3,1 A
Drain-Source-Spannung max.	20 V
Gehäusegröße	SOT-23
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	6
Drain-Source-Widerstand max.	225 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	0.7V
Verlustleistung max.	1,7 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-12 V, +12 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	1.75mm
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	3 nC @ 4,5 V
Länge	3mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	1.3mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

DiodesZetex ZXMN2A01E6TA N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3,1 A 1,7 W, 6-Pin SOT-23

N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc.

N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc.

Verwandte Produkte