Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 3.1 A 8.36 W, 3-Pin SOT-23

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Leider können wir keine Angaben machen, wann dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
151-3187
Herst. Teile-Nr.:
PMV55ENEAR
Marke:
Nexperia
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

120mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12.7nC

Maximale Verlustleistung Pd

8.36W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1mm

Länge

3mm

Breite

1.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

MOSFETs für den Automobilbereich, das weltweit größte Portfolio an AEC-Q101-qualifizierten Leistungs-MOSFETs – ein tiefes Verständnis der Anforderungen an das Automobilsystem und fokussierte technische Fähigkeiten ermöglichen es Nexperia, Leistungshalbleiterlösungen für ein breites Spektrum von Anwendungen anzubieten. Von der Ansteuerung einer einfachen Lampe bis hin zu den anspruchsvollen Anforderungen an die Leistungsregelung in Motor-, Karosserie- oder Fahrwerksanwendungen – Nexperia Leistungshalbleiter können die Antwort auf viele Probleme mit der Leistung von Automobilsystemen sein.

AEC-Q101-konformVerfügt über Repetitive-Avalanche-RatingGeeignet für thermisch anspruchsvolle Umgebungen aufgrund einer Nenntemperatur von 175 °C

N-Kanal-Trench-MOSFET (60 V), N-Kanal-Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23-(TO-236AB)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.

LogikstufenkompatibelSehr schnelle SchaltungTrench MOSFET-TechnologieSchutz gegen elektrostatische Entladung (ESD) > 2 kV HBMAEC-Q101-qualifiziert

Verwandte Links