STMicroelectronics MDmesh DM2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 22 A 190 W, 3-Pin STW28N60DM2

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Herst. Teile-Nr.:
STW28N60DM2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

22A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

MDmesh DM2

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

160mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Verlustleistung Pd

190W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

39nC

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.15 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

20.15mm

Länge

15.75mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal Serie MDmesh DM2, STMicroelectronics


Die MOSFETs der Serie MDmesh DM2 bieten einen niedrigen RDS(on), und mit der verbesserten Sperrerholungszeit für eine hohe Effizienz wurde diese Serie über phasenverschobene Vollbrücken-ZVS-Topologien optimiert.

Hohe dV/dt-Fähigkeit für verbesserte Systemzuverlässigkeit

AEC-Q101-qualifiziert

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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