STMicroelectronics MDmesh DM2 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 66 A 446 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 168-5904
Herst. Teile-Nr.:: STW70N60DM2
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh DM2 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 66 A 446 W, 3-Pin TO-247

Mengenrabatt verfügbar

Preis pro Stück (In einer Stange von 30)**

8,692 €

(ohne MwSt.)

10,343 €

(inkl. MwSt.)

600 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).*

* Die Liefertermine können sich je nach gewählter Menge und Lieferadresse ändern.

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Lieferverfügbarkeit überprüfen

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Stück	Pro Stück	Pro Stange**
30 - 60	8,692 €	260,76 €
90 - 480	8,469 €	254,07 €
510 +	8,258 €	247,74 €

**Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 168-5904
Herst. Teile-Nr.:: STW70N60DM2
Marke:: STMicroelectronics

STW70N60DM2, N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	66 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	TO-247
Serie	MDmesh DM2
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	42 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	446 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	15.75mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	121 nC @ 10 V
Breite	5.15mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Diodendurchschlagsspannung	1.6V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	20.15mm

STMicroelectronics MDmesh DM2 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 66 A 446 W, 3-Pin TO-247

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

N-Kanal Serie MDmesh DM2, STMicroelectronics

Verwandte Links