STMicroelectronics MDmesh DM2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 90 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*

1.299,00 €

(ohne MwSt.)

1.546,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 01. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
1000 +1,299 €1.299,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
166-0942
Herst. Teile-Nr.:
STB18N60DM2
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

MDmesh DM2

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

290mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

90W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

10.4 mm

Länge

9.35mm

Höhe

4.6mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal Serie MDmesh DM2, STMicroelectronics


Die MOSFETs der Serie MDmesh DM2 bieten einen niedrigen RDS(on), und mit der verbesserten Sperrerholungszeit für eine hohe Effizienz wurde diese Serie über phasenverschobene Vollbrücken-ZVS-Topologien optimiert.

Hohe dV/dt-Fähigkeit für verbesserte Systemzuverlässigkeit

AEC-Q101-qualifiziert

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


Verwandte Links