STMicroelectronics MDmesh DM2 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 12 A 90 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 111-6459
Herst. Teile-Nr.:: STB18N60DM2
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh DM2 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 12 A 90 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:: 111-6459
Herst. Teile-Nr.:: STB18N60DM2
Marke:: STMicroelectronics

STB18N60DM2, N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDMesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	12 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Serie	MDmesh DM2
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	290 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	90 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	10.4mm
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	9.35mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	20 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	4.6mm
Diodendurchschlagsspannung	1.6V

STMicroelectronics MDmesh DM2 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 12 A 90 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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N-Kanal Serie MDmesh DM2, STMicroelectronics

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