STMicroelectronics MDmesh DM2 STW56N60DM2 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 50 A 360 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 111-6485
Herst. Teile-Nr.:: STW56N60DM2
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh DM2 STW56N60DM2 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 50 A 360 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:: 111-6485
Herst. Teile-Nr.:: STW56N60DM2
Marke:: STMicroelectronics

STW56N60DM2, N-channel 600 V, 52 mOhm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	50 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Serie	MDmesh DM2
Gehäusegröße	TO-247
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	60 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	360 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	5.15mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	15.75mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	90 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	20.15mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.6V

STMicroelectronics MDmesh DM2 STW56N60DM2 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 50 A 360 W, 3-Pin TO-247

N-Kanal Serie MDmesh DM2, STMicroelectronics

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