STMicroelectronics MDmesh DM2 STW70N60DM2 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 66 A 446 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 111-6487
Herst. Teile-Nr.:: STW70N60DM2
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh DM2 STW70N60DM2 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 66 A 446 W, 3-Pin TO-247

Voraussichtlich ab 19.02.2025 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück

10,50 €

(ohne MwSt.)

12,50 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück
1 - 9	10,50 €
10 - 99	9,04 €
100 - 499	8,38 €
500 +	8,17 €

RS Best.-Nr.:: 111-6487
Herst. Teile-Nr.:: STW70N60DM2
Marke:: STMicroelectronics

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Produktdetails

N-Kanal Serie MDmesh DM2, STMicroelectronics

Die MOSFETs der Serie MDmesh DM2 bieten einen niedrigen RDS(on), und mit der verbesserten Sperrerholungszeit für eine hohe Effizienz wurde diese Serie über phasenverschobene Vollbrücken-ZVS-Topologien optimiert.

Hohe dV/dt-Fähigkeit für verbesserte Systemzuverlässigkeit
AEC-Q101-qualifiziert

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	66 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	TO-247
Serie	MDmesh DM2
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	42 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	446 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	121 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	5.15mm
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	15.75mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.6V
Höhe	20.15mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C