Nexperia BST82 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 190 mA 830 mW, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
112-5548P
Herst. Teile-Nr.:
BST82,215
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

190mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

BST82

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

830mW

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-1.6V

Betriebstemperatur min.

-65°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

3mm

Breite

1.4 mm

Höhe

1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-MOSFET, 100 V und mehr, Nexperia


MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors


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