- RS Best.-Nr.:
- 121-6514
- Herst. Teile-Nr.:
- NTF6P02T3G
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- MY
Produktdetails
P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 8,4 A |
Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
Gehäusegröße | SOT-223 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 70 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 1V |
Verlustleistung max. | 8,3 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | +8 V |
Breite | 3.7mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 15 nC @ 4,5 V |
Länge | 6.7mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Höhe | 1.65mm |
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