DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 6.6 A 1.7 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
121-9628
Herst. Teile-Nr.:
DMN6040SSD-13
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

55mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

150°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.7W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10.4nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.7V

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Länge

4.95mm

Normen/Zulassungen

MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101

Breite

3.95 mm

Höhe

1.5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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