DiodesZetex Isoliert Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 8.5 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
122-0202
Herst. Teile-Nr.:
DMC3021LSD-13
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

53mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.8nC

Durchlassspannung Vf

0.7V

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0

Länge

4.95mm

Breite

3.95 mm

Höhe

1.5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

Zweifacher N/P-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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