DiodesZetex Isoliert Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 4.8 A 2.1 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 708-2554
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMP6A18DN8TA
- Marke:
- DiodesZetex
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
11,76 €
(ohne MwSt.)
13,995 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 1.940 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,352 € | 11,76 € |
| 25 - 120 | 1,87 € | 9,35 € |
| 125 - 245 | 1,478 € | 7,39 € |
| 250 + | 1,43 € | 7,15 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 708-2554
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMP6A18DN8TA
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 80mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.1W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 44nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -0.85V | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 80mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.1W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 44nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -0.85V | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.5mm | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Zweifacher P-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Verwandte Links
- DiodesZetex Isoliert Typ P-Kanal 2 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Isoliert Typ P Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 6.4 A 2.1 W, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Isoliert Typ P-Kanal 2 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Isoliert Typ P-Kanal 2 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Isoliert Typ P-Kanal 2 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Isoliert Typ P Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 8.5 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2 8-Pin SOIC