DiodesZetex Isoliert Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 4.8 A 2.1 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
708-2554
Herst. Teile-Nr.:
ZXMP6A18DN8TA
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

80mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

44nC

Durchlassspannung Vf

-0.85V

Maximale Verlustleistung Pd

2.1W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Höhe

1.5mm

Länge

5mm

Breite

4 mm

Normen/Zulassungen

RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Zweifacher P-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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