DiodesZetex Isoliert Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 4.8 A 2.1 W, 8-Pin SOIC

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 500 Stück)*

278,50 €

(ohne MwSt.)

331,50 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1.500 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
500 +0,557 €278,50 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
922-8027
Herst. Teile-Nr.:
ZXMP6A18DN8TA
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

80mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

44nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2.1W

Betriebstemperatur min.

150°C

Durchlassspannung Vf

-0.85V

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Breite

4 mm

Normen/Zulassungen

RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020

Höhe

1.5mm

Länge

5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

Zweifacher P-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


Verwandte Links