DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 7.5 A 1.5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
122-0209
Herst. Teile-Nr.:
DMG4800LSD-13
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

22mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

150°C

Durchlassspannung Vf

0.72V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.56nC

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.5W

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Normen/Zulassungen

UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020, MIL-STD-202

Länge

4.95mm

Höhe

1.5mm

Breite

3.95 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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