DiodesZetex Isoliert Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 7.6 A 1.2 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
122-1507
Herst. Teile-Nr.:
DMC3028LSDX-13
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

41mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.2W

Betriebstemperatur min.

150°C

Durchlassspannung Vf

0.7V

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Länge

4.95mm

Breite

3.95 mm

Höhe

1.5mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101, MIL-STD-202, RoHS, UL 94V-0, J-STD-020

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

Zweifacher N/P-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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