Teile-Nr.

DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 2,6 A; 4,7 A 2,1 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 823-4059
Herst. Teile-Nr.:: ZXMC4559DN8TA
Marke:: DiodesZetex

DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 2,6 A; 4,7 A 2,1 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:: 823-4059
Herst. Teile-Nr.:: ZXMC4559DN8TA
Marke:: DiodesZetex

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	DiodesZetex
	Channel-Typ	N, P
	Dauer-Drainstrom max.	2,6 A; 4,7 A
	Drain-Source-Spannung max.	60 V
	Gehäusegröße	SOIC
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand max.	75 mΩ, 125 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung min.	1V
	Verlustleistung max.	2,1 W
	Transistor-Konfiguration	Isoliert
	Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Transistor-Werkstoff	Si
	Breite	3.95mm
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	20,4 nC @ 10 V, 24,2 nC @ 10 V
	Länge	4.95mm
	Betriebstemperatur min.	-55 °C
	Höhe	1.5mm

	Alle auswählen
	Marke DiodesZetex
	Channel-Typ N, P
	Dauer-Drainstrom max. 2,6 A; 4,7 A
	Drain-Source-Spannung max. 60 V
	Gehäusegröße SOIC
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand max. 75 mΩ, 125 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung min. 1V
	Verlustleistung max. 2,1 W
	Transistor-Konfiguration Isoliert
	Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Transistor-Werkstoff Si
	Breite 3.95mm
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 20,4 nC @ 10 V, 24,2 nC @ 10 V
	Länge 4.95mm
	Betriebstemperatur min. -55 °C
	Höhe 1.5mm

Zweifacher N/P-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.

DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 2,6 A; 4,7 A 2,1 W, 8-Pin SOIC

Zweifacher N/P-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.

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