DiodesZetex Isoliert Typ N, Typ N, Typ P, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 4.7 A 2.1 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 823-4059
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMC4559DN8TA
- Marke:
- DiodesZetex
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 823-4059
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMC4559DN8TA
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ N, Typ P, Typ P | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 60 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 4.7 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 2.1 W | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Durchlassspannung (Vf) | 850 mV | |
| Höhe | 1.5 mm | |
| Länge | 4.95 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 75 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | -20 V, +20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 11 nC | |
| Breite | 3.95 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ N, Typ P, Typ P | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 60 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 4.7 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 2.1 W | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Durchlassspannung (Vf) 850 mV | ||
Höhe 1.5 mm | ||
Länge 4.95 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 75 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) -20 V, +20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 11 nC | ||
Breite 3.95 mm | ||
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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