DiodesZetex Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung 1.6 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
246-6781
Herst. Teile-Nr.:
DMHC6070LSD-13
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.25Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.6W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11.5nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der DiodesZetex ist eine neue Generation von komplementären MOSFET-H-Brücke, die über einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand verfügt, der mit einem niedrigen Gate-Antrieb erreicht werden kann. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem SO-8-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und eine niedrige Eingangskapazität. Er hat einen Betriebstemperaturbereich von –55 °C bis +150 °C.

Die maximale Drain-Quellenspannung beträgt 60 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±20 V. 2 N-Kanäle und 2 P-Kanäle in einem SOIC-Gehäuse. Sie bietet einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand

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