DiodesZetex Isoliert Typ N, Typ N, Typ P, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 4.7 A 2.1 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
122-3286
Herst. Teile-Nr.:
ZXMC4559DN8TA
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ N, Typ P, Typ P

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Montageart

Oberfläche

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60 V

Channel-Modus

Erweiterung

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

4.7 A

Maximale Verlustleistung (Pd)

2.1 W

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

SOIC

Automobilstandard

AEC-Q101

Durchlassspannung (Vf)

850 mV

Höhe

1.5 mm

Länge

4.95 mm

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

75 mΩ

Gate-Source-spannung max (Vgs)

-20 V, +20 V

Maximale Betriebstemperatur

150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Normen/Zulassungen

No

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

11 nC

Breite

3.95 mm

Ursprungsland:
CN

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET Transistors, Diodes Inc.


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