DiodesZetex ZXMC4559DN8TA N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 2,6 A; 4,7 A 2,1 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 122-3286
Herst. Teile-Nr.:: ZXMC4559DN8TA
Marke:: DiodesZetex

DiodesZetex ZXMC4559DN8TA N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 2,6 A; 4,7 A 2,1 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:: 122-3286
Herst. Teile-Nr.:: ZXMC4559DN8TA
Marke:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N, P
Dauer-Drainstrom max.	2,6 A; 4,7 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	SOIC
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	75 mΩ, 125 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	2,1 W
Transistor-Konfiguration	Isoliert
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	4.95mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	20,4 nC @ 10 V, 24,2 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	3.95mm
Höhe	1.5mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

DiodesZetex ZXMC4559DN8TA N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 2,6 A; 4,7 A 2,1 W, 8-Pin SOIC

Zweifacher N/P-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.

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