onsemi UltraFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 75 A 325 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 124-1407
- Herst. Teile-Nr.:
- HUF75545P3
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
78,50 €
(ohne MwSt.)
93,50 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- 800 Einheit(en) mit Versand ab 03. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,57 € | 78,50 € |
| 100 - 200 | 1,366 € | 68,30 € |
| 250 - 450 | 1,303 € | 65,15 € |
| 500 - 950 | 1,162 € | 58,10 € |
| 1000 + | 0,973 € | 48,65 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 124-1407
- Herst. Teile-Nr.:
- HUF75545P3
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 75A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | UltraFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 220nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 325W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.67mm | |
| Breite | 4.7 mm | |
| Höhe | 16.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 75A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie UltraFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 220nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 325W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.67mm | ||
Breite 4.7 mm | ||
Höhe 16.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor
UltraFET® Trench-MOSFETs kombinieren Eigenschaften, die eine richtungsweisende Effizienz in der Leistungsumwandlung ermöglichen. Das Gerät hält im Stoßentladungsmodus einer hohen Energielast stand, und die Diode zeichnet sich durch eine sehr niedrige Umkehr-Erholzeit und gespeicherte Ladung aus. Optimiert für Effizienz bei hohen Frequenzen, niedrigste RDS(ein), niedriger ESR und niedrige Gesamt- und Miller-Gate-Ladung.
Anwendungen: DC/DC-Hochfrequenzwandler , Schaltregler, Motorantriebe, Niedrigspannungs-Busschalter und Stromüberwachung.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi UltraFET Typ N-Kanal 3-Pin HUF75545P3 TO-220
- onsemi UltraFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- onsemi UltraFET Typ N-Kanal 3-Pin HUF75345P3 TO-220
- onsemi UltraFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- onsemi UltraFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- onsemi UltraFET Typ N-Kanal 3-Pin HUF75339P3 TO-220
- onsemi UltraFET Typ N-Kanal 3-Pin HUF75344P3 TO-220
- onsemi UltraFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-247