onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 170 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

186,00 €

(ohne MwSt.)

222,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 12.000 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
  • Zusätzlich 21.000 Einheit(en) mit Versand ab 29. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 - 60000,062 €186,00 €
9000 - 210000,052 €156,00 €
24000 - 420000,05 €150,00 €
45000 - 960000,045 €135,00 €
99000 +0,043 €129,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
124-1693
Herst. Teile-Nr.:
BSS123
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

170mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

PowerTrench

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.8nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

360mW

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.93mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.3 mm

Länge

2.92mm

Automobilstandard

AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links