Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 170 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23

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Herst. Teile-Nr.:
BSS84PH6327XTSA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

170mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

SIPMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

360mW

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.9mm

Länge

2.9mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.3 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Infineon SIPMOS® P-Kanal-MOSFETs


Die Kleinsignal-P-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS® besitzen verschiedene Merkmale wie den Verbesserungsmodus, einen durchgängigen Drain-Strom bis herunter auf –80 A sowie einen großen Betriebstemperaturbereich. Der SIPMOS-Leistungstransistor kann in einer Vielzahl von Anwendungen wie Telekommunikation, eMobility, Notebooks, DC/DC-Geräten sowie in der Automobilindustrie verwendet werden.

· AEC Q101-qualifiziert (siehe Datenblatt)

· Bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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