Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 60 V / 230 mA 360 mW, 3-Pin BSS159NH6327XTSA2 SOT-23

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753-2841
Herst. Teile-Nr.:
BSS159NH6327XTSA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

230mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

SIPMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8Ω

Channel-Modus

Entleerung

Maximale Verlustleistung Pd

360mW

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

2.9mm

Breite

1.3 mm

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Distrelec Product Id

304-45-304

N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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