Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 240 V / 350 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223

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753-2800
Herst. Teile-Nr.:
BSP129H6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

350mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

240V

Serie

SIPMOS

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20Ω

Channel-Modus

Entleerung

Maximale Verlustleistung Pd

1.8W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.8nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.5mm

Breite

3.5 mm

Höhe

1.6mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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