Infineon SIPMOS BSP318SH6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2,6 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 753-2816
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP318SH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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Produktdetails
N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 2,6 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | SOT-223 |
| Serie | SIPMOS |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 150 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V |
| Verlustleistung max. | 1,8 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Länge | 6.5mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Breite | 3.5mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Höhe | 1.6mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 753-2816
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP318SH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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