Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 430 mA 1.8 W, 4-Pin BSP317PH6327XTSA1 SOT-223

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Herst. Teile-Nr.:
BSP317PH6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

430mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

SIPMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.8W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11.6nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.5mm

Höhe

1.6mm

Breite

3.5 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Distrelec Product Id

304-35-440

Infineon SIPMOS® P-Kanal-MOSFETs


Die Kleinsignal-P-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS® besitzen verschiedene Merkmale wie den Verbesserungsmodus, einen durchgängigen Drain-Strom bis herunter auf –80 A sowie einen großen Betriebstemperaturbereich. Der SIPMOS-Leistungstransistor kann in einer Vielzahl von Anwendungen wie Telekommunikation, eMobility, Notebooks, DC/DC-Geräten sowie in der Automobilindustrie verwendet werden.

· AEC Q101-qualifiziert (siehe Datenblatt)

· Bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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