Infineon SIPMOS® BSP373NH6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,7 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223

RS Best.-Nr.:: 752-8224
Herst. Teile-Nr.:: BSP373NH6327XTSA1
Marke:: Infineon

Infineon SIPMOS® BSP373NH6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,7 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223

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Herst. Teile-Nr.:: BSP373NH6327XTSA1
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Produktdetails

N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	1,7 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	SOT-223
Serie	SIPMOS®
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	300 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2.1V
Verlustleistung max.	1,8 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	3.5mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	6.5mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	1.6mm