Infineon SIPMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.7 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223

RS Best.-Nr.:: 752-8224
Distrelec-Artikelnummer:: 304-45-302
Herst. Teile-Nr.:: BSP373NH6327XTSA1
Marke:: Infineon

Infineon SIPMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.7 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223

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Herst. Teile-Nr.:: BSP373NH6327XTSA1
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Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	1.7A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	SOT-223
	Serie	SIPMOS
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	300mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	6.2nC
	Maximale Verlustleistung Pd	1.8W
	Durchlassspannung Vf	0.82V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	1.6mm
	Breite	3.5mm
	Länge	6.5mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.7A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße SOT-223
	Serie SIPMOS
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 300mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.2nC
	Maximale Verlustleistung Pd 1.8W
	Durchlassspannung Vf 0.82V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 1.6mm
	Breite 3.5mm
	Länge 6.5mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard AEC-Q101

Infineon SIPMOS Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 1,7 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSP373NH6327XTSA1

Dieser MOSFET ist ein kompakter N-Kanal-Verbesserungstransistor, der für oberflächenmontierte Leistungsschaltung und -steuerung in anspruchsvollen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und bewältigt mäßige Dauerstrom- und Spannungspegel, wodurch er sich für elektronische Systeme eignet, die ein robustes, für die Automobilindustrie geeignetes Schaltelement erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennleistung von 100 V Drain-Source ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 300 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei Nennstrom
• 1,7 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Steady-State-Lasten
• Die typische Gate-Ladung von 6,2 nC ermöglicht eine effiziente Schaltsteuerung
• Maximale Verlustleistung von 1,8 W bewältigt thermische Belastungen im Einsatz
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V ermöglicht flexible Gate-Antriebspegel

Anwendungsbereich

• Geeignet für das Energiemanagement in Kfz-Elektronikmodulen
• Ideal für DC/DC-Wandler in beengten Baugruppen
• Wird mit Motortreibern zur Steuerung von Betätigungselementen mit geringem Stromverbrauch verwendet
• Kann zum Schalten von Lasten in Telematikgeräten verwendet werden
• Wird für das Batteriemanagement in Hilfsfahrzeugsystemen verwendet

Welches Gehäuse wird für die kompakte Montage auf Leiterplattenebene verwendet?

Er wird in einem SOT-223-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage konzipiert ist, um Platz auf der Leiterplatte zu sparen und gleichzeitig die Wärmeübertragung durch die Lasche zu ermöglichen.

Wie verhält es sich in Umgebungen mit hohen Temperaturen?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz unter erhöhten Umgebungs- oder Motorraumbedingungen.

Welche Pinanzahl und welche Befestigungsart sollten Entwickler erwarten?

Das Gerät verwendet vier Pins und ist für die direkte Oberflächenmontage auf einer Leiterplatte für mechanische und elektrische Verbindungen vorgesehen.

Ist dieses Gerät für Qualifizierungsanforderungen im Automobilbereich geeignet?

Er erfüllt die AEC-Q101-Normen für Halbleitergeräte in Automobilqualität und entspricht damit den Spezifikationen für die elektronische Zuverlässigkeit von Fahrzeugen.