Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.7 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*

271,00 €

(ohne MwSt.)

322,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 3.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
1000 +0,271 €271,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
165-7514
Herst. Teile-Nr.:
BSP373NH6327XTSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

SIPMOS

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

300mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.82V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.2nC

Maximale Verlustleistung Pd

1.8W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.5 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.5mm

Höhe

1.6mm

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Verwandte Links