Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.7 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
165-7514
Herst. Teile-Nr.:
BSP373NH6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

SIPMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

300mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.8W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.82V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.2nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.6mm

Länge

6.5mm

Breite

3.5 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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