Infineon SIPMOS® BSP125H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223

RS Best.-Nr.:: 826-9276
Herst. Teile-Nr.:: BSP125H6327XTSA1
Marke:: Infineon

Infineon SIPMOS® BSP125H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:: 826-9276
Herst. Teile-Nr.:: BSP125H6327XTSA1
Marke:: Infineon

BSP125 SIPMOS Power Transistor Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	120 mA
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	SOT-223
Serie	SIPMOS®
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	45 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.3V
Gate-Schwellenspannung min.	1.3V
Verlustleistung max.	1,8 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	6.5mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	4,4 nC @ 10 V
Breite	3.5mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	1.6mm

Infineon SIPMOS® BSP125H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223

N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®

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