Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 120 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Leider können wir keine Angaben machen, wann dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
RS Best.-Nr.:
165-5811
Herst. Teile-Nr.:
BSP125H6327XTSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

SIPMOS

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

45Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.8W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.5mm

Höhe

1.5mm

Breite

3.5 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Verwandte Links