Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 120 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
165-5811
Herst. Teile-Nr.:
BSP125H6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

SIPMOS

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

45Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.8W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.4nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.5mm

Breite

3.5 mm

Höhe

1.5mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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