Infineon SIPMOS BSP125H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 165-5811
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP125H6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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- 165-5811
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP125H6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 120 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
| Gehäusegröße | SOT-223 |
| Serie | SIPMOS |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 45 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.3V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.3V |
| Verlustleistung max. | 1,8 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Breite | 3.5mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 6.5mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 4,4 nC @ 10 V |
| Höhe | 1.5mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 165-5811
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP125H6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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