Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 600 V / 120 mA 1.8 W, 4-Pin BSP135H6327XTSA1 SOT-223

RS Best.-Nr.:: 354-5708
Distrelec-Artikelnummer:: 302-83-876
Herst. Teile-Nr.:: BSP135H6327XTSA1
Marke:: Infineon

Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 600 V / 120 mA 1.8 W, 4-Pin BSP135H6327XTSA1 SOT-223

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Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	120mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Serie	SIPMOS
	Gehäusegröße	SOT-223
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	45Ω
	Channel-Modus	Entleerung
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	3.7nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	1.8W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	3.5 mm
	Höhe	1.6mm
	Länge	6.5mm
	Distrelec Product Id	302-83-876
	Automobilstandard	AEC-Q101

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	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Serie SIPMOS
	Gehäusegröße SOT-223
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 45Ω
	Channel-Modus Entleerung
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.7nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 1.8W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Breite 3.5 mm
	Höhe 1.6mm
	Länge 6.5mm
	Distrelec Product Id 302-83-876
	Automobilstandard AEC-Q101

Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 120 mA maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 1,8 W maximale Verlustleistung - BSP135H6327XTSA1

Dieser MOSFET ist für effiziente Schaltanwendungen vorgesehen und für seine hohe Spannungsfestigkeit und sein niedriges Stromverbrauchsprofil bekannt. Als Ein-N-Kanal-MOSFET im Verarmungsmodus eignet er sich gut für verschiedene elektronische Anwendungen, die kompakte Lösungen für die Oberflächenmontage erfordern. Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 600 V eignet er sich besonders für den Einsatz in der Automobilindustrie und im Leistungsmanagement, wo Effizienz und Zuverlässigkeit im Vordergrund stehen.

Eigenschaften und Vorteile

• Nutzt die SIPMOS®-Technologie für verbesserte Effizienz

• Unterstützt Hochspannungskapazitäten bis zu 600 V für Betriebssicherheit

• Niedriger Stromverbrauch von 120 mA verbessert die Energieeffizienz

• Konzipiert für die Oberflächenmontage, bietet es platzsparende Vorteile

• ESD-Schutz für 1A zum Schutz empfindlicher Schaltungen

• Automotive qualifiziert nach AEC-Q101, konform mit Industriestandards

Anwendungsbereich

• Geeignet für Power-Management-Lösungen in elektronischen Geräten

• Eingesetzt in Niederspannung mit Hochspannungsfähigkeit

• Integriert in die Verpackung für effizientes Wärmemanagement

• Einsatz in Steuerkreisen, die robuste Komponenten erfordern

Welche Auswirkungen haben die Wärmewiderstandswerte auf die Leistung?

Der Wärmewiderstand gibt an, wie gut das Gerät die Wärme ableitet und stellt sicher, dass es bei Dauerbetrieb innerhalb sicherer Grenzen arbeitet. Niedrigere Wärmewiderstandswerte können die Leistung durch ein besseres Wärmemanagement verbessern, insbesondere bei Hochstromanwendungen.

Kann dieser MOSFET Hochfrequenzschaltanwendungen bewältigen?

Ja, er zeichnet sich durch eine niedrige Gate-Ladung aus, was einen effizienten Betrieb in Hochfrequenzumgebungen ermöglicht und ihn für eine Vielzahl moderner elektronischer Anwendungen geeignet macht.

Was ist bei der Installation und Kompatibilität zu beachten?

Es ist wichtig, sich zu vergewissern, dass die Montageart mit dem Leiterplattendesign übereinstimmt, um die Leistung zu optimieren und potenzielle Probleme beim Wärmemanagement oder der Konnektivität zu vermeiden.

Wie wirkt sich die maximale Verlustleistung auf die Anwendung aus?

Bei einer maximalen Verlustleistung von 1,8 W muss unbedingt darauf geachtet werden, dass diese Grenze nicht überschritten wird, um eine Überhitzung und einen möglichen Ausfall zu vermeiden. Ein angemessenes Wärmemanagement ist für die Konstruktion entscheidend.

Welche Einschränkungen gibt es hinsichtlich der Gate-Source-Spannung?

Die Gate-Source-Spannung kann zwischen -20V und +20V liegen, was eingehalten werden muss, um einen effektiven Betrieb zu gewährleisten, ohne das Gerät zu beschädigen oder die Leistung zu beeinträchtigen.