Teile-Nr.
Elektronische Bauelemente, Stromversorgung und Steckverbinder
Elektromechanik, Automation und Kabel
Mechanikkomponenten, Werkzeug- und Laborbedarf
IT, Messtechnik, Schutz- und Sicherheitsprodukte

SIPMOS BSP135H6327XTSA1 N-Kanal MOSFET, 600 V / 120 mA, 1,8 W, SOT-223 3 + Tab-Pin

RS Best.-Nr.:
354-5708
Herst. Teile-Nr.:
BSP135H6327XTSA1
Marke:
Infineon
Infineon

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Herst. Teile-Nr.:
BSP135H6327XTSA1
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Infineon

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Rechtliche Anforderungen


Produktdetails

N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®



Technische Daten

EigenschaftWert
Channel-TypN
Dauer-Drainstrom max.120 mA
Drain-Source-Spannung max.600 V
GehäusegrößeSOT-223
Montage-TypSMD
Pinanzahl3 + Tab
Drain-Source-Widerstand max.60 Ω
Channel-ModusDepletion
Gate-Schwellenspannung max.1V
Gate-Schwellenspannung min.2.1V
Verlustleistung max.1,8 W
Transistor-KonfigurationEinfach
Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip1
Höhe1.6mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs3,7 nC @ 5 V
Betriebstemperatur min.-55 °C
SerieSIPMOS
Breite3.5mm
Länge6.5mm
Betriebstemperatur max.+150 °C
Transistor-WerkstoffSi
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