Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 600 V / 120 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223

Dieser MOSFET ist für effiziente Schaltanwendungen vorgesehen und für seine hohe Spannungsfestigkeit und sein niedriges Stromverbrauchsprofil bekannt. Als Ein-N-Kanal-MOSFET im Verarmungsmodus eignet er sich gut für verschiedene elektronische Anwendungen, die kompakte Lösungen für die Oberflächenmontage erfordern. Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 600 V eignet er sich besonders für den Einsatz in der Automobilindustrie und im Leistungsmanagement, wo Effizienz und Zuverlässigkeit im Vordergrund stehen.

• Nutzt die SIPMOS®-Technologie für verbesserte Effizienz

• Geeignet für Power-Management-Lösungen in elektronischen Geräten

Der Wärmewiderstand gibt an, wie gut das Gerät die Wärme ableitet und stellt sicher, dass es bei Dauerbetrieb innerhalb sicherer Grenzen arbeitet. Niedrigere Wärmewiderstandswerte können die Leistung durch ein besseres Wärmemanagement verbessern, insbesondere bei Hochstromanwendungen.

Ja, er zeichnet sich durch eine niedrige Gate-Ladung aus, was einen effizienten Betrieb in Hochfrequenzumgebungen ermöglicht und ihn für eine Vielzahl moderner elektronischer Anwendungen geeignet macht.

Es ist wichtig, sich zu vergewissern, dass die Montageart mit dem Leiterplattendesign übereinstimmt, um die Leistung zu optimieren und potenzielle Probleme beim Wärmemanagement oder der Konnektivität zu vermeiden.

Bei einer maximalen Verlustleistung von 1,8 W muss unbedingt darauf geachtet werden, dass diese Grenze nicht überschritten wird, um eine Überhitzung und einen möglichen Ausfall zu vermeiden. Ein angemessenes Wärmemanagement ist für die Konstruktion entscheidend.

Die Gate-Source-Spannung kann zwischen -20V und +20V liegen, was eingehalten werden muss, um einen effektiven Betrieb zu gewährleisten, ohne das Gerät zu beschädigen oder die Leistung zu beeinträchtigen.