Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 230 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 826-9954
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-44-425
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS138NH6327XTSA2
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (1 Rolle mit 500 Stück)*
24,50 €
(ohne MwSt.)
29,00 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- 1.000 Einheit(en) mit Versand ab 07. September 2026
- Zusätzlich 98.500 Einheit(en) mit Versand ab 08. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 500 + | 0,049 € | 24,50 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 826-9954
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-44-425
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS138NH6327XTSA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 230mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 360mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.83V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.3mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 230mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie SIPMOS | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 360mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.83V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.3mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Typ P-Kanal 3-Pin SOT-23
- onsemi BSS138 Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal 3-Pin SOT-23
- onsemi NDS0605 Typ P-Kanal 3-Pin SOT-23