Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 230 mA 360 mW, 3-Pin BSS138NH6327XTSA2 SOT-23

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RS Best.-Nr.:
178-7472
Herst. Teile-Nr.:
BSS138NH6327XTSA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

230mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

SIPMOS

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1nC

Durchlassspannung Vf

0.83V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

360mW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.3 mm

Höhe

1mm

Länge

2.9mm

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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