Infineon SIPMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 21 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 753-2832
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS127H6327XTSA2
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 600Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.65nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.9mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie SIPMOS | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 600Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.65nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.9mm | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET der SIPMOS-Serie von Infineon, 600 V Drain-Source-Spannung, 21 mA kontinuierlicher Drain-Strom – BSS127H6327XTSA2
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für die Oberflächenmontage in kompakten elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich für anspruchsvolle Umgebungen und eignet sich für Anwendungen, die ein robustes Gerät mit kleiner Abmessung und kontrollierten Gate-Drive-Eigenschaften erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Die Drain-to-Source-Festigkeit von 600 V sorgt für Hochspannungsschaltfähigkeit
• Eine typische Gate-Ladung von 0,65 nC ermöglicht ein schnelleres Schalten mit geringerem Verlust
• 600 Ω maximaler RDS(on) reduziert Leckagen im Aus-Zustand in Hochspannungsstromkreisen
• 21 mA kontinuierlicher Ablassstrom für Schwachstromsteuerungsfunktionen
• 500 mW maximale Verlustleistung steuert die thermische Belastung in kompakten Layouts
• Die Nennspannung von VGS bis 20 V ermöglicht die Kompatibilität mit gängigen Gate-Drive-Spannungen
• Eine typische Gate-Ladung von 0,65 nC ermöglicht ein schnelleres Schalten mit geringerem Verlust
• 600 Ω maximaler RDS(on) reduziert Leckagen im Aus-Zustand in Hochspannungsstromkreisen
• 21 mA kontinuierlicher Ablassstrom für Schwachstromsteuerungsfunktionen
• 500 mW maximale Verlustleistung steuert die thermische Belastung in kompakten Layouts
• Die Nennspannung von VGS bis 20 V ermöglicht die Kompatibilität mit gängigen Gate-Drive-Spannungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochspannungs-Leistungsumwandlungstopologien
• Ideal für Sensoren und Hilfsschaltkreise in Automobilqualität
• Wird mit kompakten Schaltreglern und Flyback-Stufen verwendet
• Kann zur Signalumsetzung auf Gate-Ebene in Schutzschaltkreisen verwendet werden
• Geeignet für Power-Management-Module mit kleinem Formfaktor
• Ideal für Sensoren und Hilfsschaltkreise in Automobilqualität
• Wird mit kompakten Schaltreglern und Flyback-Stufen verwendet
• Kann zur Signalumsetzung auf Gate-Ebene in Schutzschaltkreisen verwendet werden
• Geeignet für Power-Management-Module mit kleinem Formfaktor
Welches Gehäuse und welche Montageart wird für die Leiterplattenmontage verwendet?
Er wird in einem SOT-23-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage und das Reflow-Löten vorgesehen ist.
Welchen thermischen Extremen kann er während des Betriebs standhalten?
Das Gerät ist für den Betrieb zwischen -55 °C und 150 °C ausgelegt und unterstützt große thermische Exkursionen in rauen Umgebungen.
Wie viele elektrische Anschlüsse sind für die Schaltungsintegration verfügbar?
Die Komponente verwendet eine dreipolige Konfiguration, die mit typischen diskreten MOSFET-Layouts kompatibel ist.
Ist das Gerät für Automobilanwendungen qualifiziert?
Er erfüllt die Norm AEC-Q101 und ist somit für den Einsatz in der Automobilelektronik geeignet.
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