FDN337N N-Kanal MOSFET, 30 V / 2,2 A, 500 mW, SOT-23 3-Pin

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Produktdetails

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor

Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 2,2 A
Drain-Source-Spannung max. 30 V
Gehäusegröße SOT-23
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 65 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 1V
Gate-Schwellenspannung min. 0.4V
Verlustleistung max. 500 mW
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Transistor-Werkstoff Si
Betriebstemperatur max. +150 °C
Höhe 0.94mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 7 nC @ 4,5 V
Breite 1.4mm
Betriebstemperatur min. –55 °C
Länge 2.92mm
81000 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 3000)
0,097
(ohne MwSt.)
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Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 - 6000
0,097 €
291,00 €
9000 +
0,093 €
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