onsemi NDS331 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.3 A 500 mW, 3-Pin SOT-23

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

2,41 €

(ohne MwSt.)

2,87 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 195 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
  • Zusätzlich 9.630 Einheit(en) mit Versand ab 02. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 450,482 €2,41 €
50 - 950,416 €2,08 €
100 - 4950,36 €1,80 €
500 - 9950,316 €1,58 €
1000 +0,288 €1,44 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
671-1078
Herst. Teile-Nr.:
NDS331N
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

NDS331

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

160mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.5nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

2.92mm

Breite

1.4 mm

Höhe

0.94mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor


Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links