onsemi Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.3 A 400 mW, 3-Pin NTR1P02LT3G SOT-23

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808-0060
Herst. Teile-Nr.:
NTR1P02LT3G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

350mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.1nC

Maximale Verlustleistung Pd

400mW

Durchlassspannung Vf

-1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±12 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.4 mm

Länge

3.04mm

Höhe

1.01mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 20 V, ON Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor


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