onsemi BSS84 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 130 mA 250 mW, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 671-0328
Herst. Teile-Nr.:: BSS84
Marke:: onsemi

onsemi BSS84 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 130 mA 250 mW, 3-Pin SOT-23

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

2,69 €

(ohne MwSt.)

3,20 €

(inkl. MwSt.)

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Auf Lager

180 Einheit(en) versandfertig
Zusätzlich 770 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
10 - 90	0,269 €	2,69 €
100 - 240	0,232 €	2,32 €
250 - 490	0,20 €	2,00 €
500 - 990	0,176 €	1,76 €
1000 +	0,161 €	1,61 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 671-0328
Herst. Teile-Nr.:: BSS84
Marke:: onsemi

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	130mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	50V
	Serie	BSS84
	Gehäusegröße	SOT-23
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	10Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-65°C
	Durchlassspannung Vf	-1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	250mW
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	0.9nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	3mm
	Höhe	1mm
	Breite	1.3 mm
	Automobilstandard	AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 130mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 50V
	Serie BSS84
	Gehäusegröße SOT-23
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 10Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -65°C
	Durchlassspannung Vf -1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 250mW
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.9nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 3mm
	Höhe 1mm
	Breite 1.3 mm
	Automobilstandard AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

P-Kanal-MOSFET im Erweiterungsmodus on Semiconductor

Die P-Kanal-MOSFETs der Serie ON Semiconductors werden mit der proprietären DMOS-Technologie von ON Semi mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine robuste und zuverlässige Leistung für schnelles Schalten zu bieten.

Eigenschaften und Vorteile:

• Spannungsgesteuerter P-Kanal-Kleinsignalschalter

• Zelldesign mit hoher Dichte

• Hoher Sättigungsstrom

• Hervorragende Schaltleistung

• Große robuste und zuverlässige Leistung

• DMOS-Technologie

Anwendungen:

• Lastschaltung

• DC/DC-Wandler

• Batterieschutz

• Stromüberwachungssteuerung

• Gleichstrommotor-Steuerung

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.