onsemi Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1 A 400 mW, 3-Pin SOT-23

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Herst. Teile-Nr.:
NTR1P02T1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

180mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

400mW

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.5nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.9mm

Breite

1.3 mm

Höhe

0.94mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 20 V, ON Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor


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