onsemi UniFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 460 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 354-4913
Herst. Teile-Nr.:: FDV304P
Marke:: onsemi

onsemi UniFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 460 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23

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Herst. Teile-Nr.:: FDV304P
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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	460mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	25V
	Serie	UniFET
	Gehäusegröße	SOT-23
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.1Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	-1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd	350mW
	Gate-Source-spannung max Vgs	8 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	1.1nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	1.3 mm
	Höhe	0.93mm
	Länge	2.92mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 460mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 25V
	Serie UniFET
	Gehäusegröße SOT-23
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.1Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf -1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd 350mW
	Gate-Source-spannung max Vgs 8 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.1nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Breite 1.3 mm
	Höhe 0.93mm
	Länge 2.92mm
	Automobilstandard Nein

P-Kanal-MOSFET im Erweiterungsmodus on Semiconductor

Die P-Kanal-MOSFETs der Serie ON Semiconductors werden mit der proprietären DMOS-Technologie von ON Semi mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine robuste und zuverlässige Leistung für schnelles Schalten zu bieten.

Eigenschaften und Vorteile:

• Spannungsgesteuerter P-Kanal-Kleinsignalschalter

• Zelldesign mit hoher Dichte

• Hoher Sättigungsstrom

• Hervorragende Schaltleistung

• Große robuste und zuverlässige Leistung

• DMOS-Technologie

Anwendungen:

• Lastschaltung

• DC/DC-Wandler

• Batterieschutz

• Stromüberwachungssteuerung

• Gleichstrommotor-Steuerung

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.