onsemi PowerTrench P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 350 mA 625 mW, 3-Pin SOT-523 (SC-89)

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RS Best.-Nr.:
166-2663
Herst. Teile-Nr.:
FDY100PZ
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

350 mA

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

SOT-523 (SC-89)

Serie

PowerTrench

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

1,2 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

0.65V

Verlustleistung max.

625 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–8 V, +8 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

1 nC @ 4,5 V

Länge

1.7mm

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

0.98mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

0.78mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

P-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFETs sind optimierte Netzschalter, die bieten eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine geringe Gate-Ladung (QG) mit geringer Umkehr-Erholungsladung (Qrr) und einer Diode mit weichem Umkehr-Erholungsgehäuse, was zu einer schnellen Schaltung der Synchrongleichrichtung in AC/DC-Netzteilen führt.
Die neuesten PowerTrench® MOSFETs nutzen eine abgeschirmte Gatterstruktur, die für Ladungsbalance sorgt. Durch die Verwendung dieser fortschrittlichen Technologie ist die Leistungszahl dieser Geräte erheblich niedriger als bei der Vorgängergeneration.
Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden.


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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