onsemi Isoliert PowerTrench Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 830 mA 625 mW, 6-Pin SC-89 FDY1002PZ

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FDY1002PZ
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

830mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

SC-89

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.8Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.2nC

Maximale Verlustleistung Pd

625mW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1V

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.2 mm

Länge

1.7mm

Höhe

0.6mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Zweifach-P-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFETs sind optimierte Netzschalter, die bieten eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine geringe Gate-Ladung (QG) mit geringer Umkehr-Erholungsladung (Qrr) und einer Diode mit weichem Umkehr-Erholungsgehäuse, was zu einer schnellen Schaltung der Synchrongleichrichtung in AC/DC-Netzteilen führt.

Die neuesten PowerTrench® MOSFETs nutzen eine abgeschirmte Gatterstruktur, die für Ladungsbalance sorgt. Durch die Verwendung dieser fortschrittlichen Technologie ist die Leistungszahl dieser Geräte erheblich niedriger als bei der Vorgängergeneration.

Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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