onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 950 mA 750 mW, 6-Pin SOT-363 (SC-70)

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RS Best.-Nr.:
146-2123
Herst. Teile-Nr.:
FDG313N
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

950 mA

Drain-Source-Spannung max.

25 V

Gehäusegröße

SOT-363 (SC-70)

Serie

PowerTrench

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

760 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

0.65V

Verlustleistung max.

750 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–8 V, +8 V

Länge

2mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

1.25mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

1,64 nC @ 4,5 V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

1mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

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