onsemi PowerTrench N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 600 mA, 700 mA 300 mW, 6-Pin SOT-363 (SC-70)
- RS Best.-Nr.:
- 166-2275
- Herst. Teile-Nr.:
- FDG6332C-F085
- Marke:
- onsemi
Nicht verfügbar
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N, P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 600 mA, 700 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | SOT-363 (SC-70) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 700 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.3V | |
| Verlustleistung max. | 300 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 1,1 nC @ 4,5 V, 1,4 nC @ 4,5 V | |
| Breite | 1.25mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Länge | 2mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 1mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N, P | ||
Dauer-Drainstrom max. 600 mA, 700 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße SOT-363 (SC-70) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 700 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.3V | ||
Verlustleistung max. 300 mW | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Gate-Source Spannung max. -12 V, +12 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 1,1 nC @ 4,5 V, 1,4 nC @ 4,5 V | ||
Breite 1.25mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Länge 2mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 1mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- US
Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs sind optimierte Netzschalter, die bieten eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine geringe Gate-Ladung (QG) mit geringer Umkehr-Erholungsladung (Qrr) und einer Diode mit weichem Umkehr-Erholungsgehäuse, was zu einer schnellen Schaltung der Synchrongleichrichtung in AC/DC-Netzteilen führt.
Die neuesten PowerTrench® MOSFETs nutzen eine abgeschirmte Gatterstruktur, die für Ladungsbalance sorgt. Durch die Verwendung dieser fortschrittlichen Technologie ist die Leistungszahl dieser Geräte erheblich niedriger als bei der Vorgängergeneration.
Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden.
Die neuesten PowerTrench® MOSFETs nutzen eine abgeschirmte Gatterstruktur, die für Ladungsbalance sorgt. Durch die Verwendung dieser fortschrittlichen Technologie ist die Leistungszahl dieser Geräte erheblich niedriger als bei der Vorgängergeneration.
Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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