onsemi PowerTrench N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 600 mA, 700 mA 300 mW, 6-Pin SOT-363 (SC-70)

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RS Best.-Nr.:
166-2275
Herst. Teile-Nr.:
FDG6332C-F085
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N, P

Dauer-Drainstrom max.

600 mA, 700 mA

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

SOT-363 (SC-70)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

700 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

0.3V

Verlustleistung max.

300 mW

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Gate-Source Spannung max.

-12 V, +12 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

1,1 nC @ 4,5 V, 1,4 nC @ 4,5 V

Breite

1.25mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Länge

2mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

1mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
US

Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFETs sind optimierte Netzschalter, die bieten eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine geringe Gate-Ladung (QG) mit geringer Umkehr-Erholungsladung (Qrr) und einer Diode mit weichem Umkehr-Erholungsgehäuse, was zu einer schnellen Schaltung der Synchrongleichrichtung in AC/DC-Netzteilen führt.
Die neuesten PowerTrench® MOSFETs nutzen eine abgeschirmte Gatterstruktur, die für Ladungsbalance sorgt. Durch die Verwendung dieser fortschrittlichen Technologie ist die Leistungszahl dieser Geräte erheblich niedriger als bei der Vorgängergeneration.
Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden.


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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