onsemi PowerTrench P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 500 mA 300 mW, 6-Pin SOT-363 (SC-70)

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RS Best.-Nr.:
166-2945
Herst. Teile-Nr.:
FDG6318P
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

500 mA

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

SOT-363 (SC-70)

Serie

PowerTrench

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

1,2 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

0.65V

Verlustleistung max.

300 mW

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Gate-Source Spannung max.

-12 V, +12 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

2mm

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

0,86 nC @ 4,5 V

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Breite

1.25mm

Höhe

1mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Digitale FETs, Fairchild Semiconductor



MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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